Berikut ini adalah postingan artikel kategori Hardware yang membahas tentang penjelasan pengertian, definisi, dan arti dari istilah kata ferroelectric random access memory (fram) berdasarkan rangkuman dari berbagai jenis macam sumber (referensi) relevan, terkait, serta terpercaya.
Daftar Isi Konten:
Pengertian Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
Apa itu sebetulnya yang dimaksud dengan ferroelectric random access memory (fram) ini?
Memori akses acak feroelektrik (FRAM, F-RAM atau FERAM) adalah bentuk memori yang tidak mudah menguap mirip dengan DRAM dalam arsitektur.
Namun, ia menggunakan lapisan feroelektrik sebagai pengganti lapisan dielektrik untuk mencapai non-volatilitas.
Dianggap sebagai salah satu alternatif potensial untuk teknologi memori akses acak yang tidak mudah menguap, memori akses acak feroelektrik memberikan fitur yang sama seperti memori flash.
Pembahasan dari Apa itu Pengertian, Makna, dan Istilah Teknis Kata Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
Baik, agar kita dapat lebih mendalami arti penjelasan serta maksud dari acronym atau kata tersebut di atas, pastinya kita juga perlu memahami lebih dalam tentang pembahasan mengenai apa itu pengertian, maksud, dan akronim, istilah, jargon, atau terminologi ferroelectric random access memory (fram).
Terlepas dari namanya, memori akses acak feroelektrik sebenarnya tidak mengandung zat besi.
Noramlly menggunakan titanat zirkonat timbal, meskipun bahan lain juga kadang -kadang digunakan.
Meskipun pengembangan RAM ferroelektrik berasal dari masa -masa awal teknologi semikonduktor, perangkat pertama berdasarkan RAM feroelektrik diproduksi sekitar tahun 1999.
Sel memori RAM feroelektrik terdiri dari garis bit serta kapasitor yang terhubung ke pelat.
Nilai biner 1 atau 0 disimpan berdasarkan orientasi dipol dalam kapasitor.
Orientasi dipol dapat diatur dan dibalik dengan bantuan tegangan.
Dibandingkan dengan teknologi yang lebih mapan seperti Flash dan DRAM, ram ferroelektrik tidak terlalu digunakan.
Ram feroelektrik kadang-kadang tertanam ke dalam chip berbasis CMOS untuk membantu MCU memiliki ingatan ferroelektrik mereka sendiri.
Ini membantu dalam memiliki lebih sedikit tahapan untuk memasukkan memori ke dalam MCU, menghasilkan penghematan biaya yang signifikan.
Ini juga membawa keuntungan lain memiliki konsumsi daya rendah dibandingkan dengan alternatif lain, yang sangat membantu MCU, di mana konsumsi daya selalu menjadi penghalang.
Ada banyak manfaat yang terkait dengan RAM feroelektrik.
Dibandingkan dengan penyimpanan flash, ia memiliki konsumsi daya yang lebih rendah dan kinerja penulisan yang lebih cepat.
Dibandingkan dengan teknologi yang serupa, RAM feroelektrik memberikan lebih banyak siklus penulisan-erase.
Ada juga keandalan data yang lebih besar dengan RAM feroelektrik.
Ada kekurangan tertentu yang terkait dengan RAM feroelektrik.
Ini memiliki kapasitas penyimpanan yang lebih rendah dibandingkan dengan perangkat flash dan juga mahal.
Dibandingkan dengan DRAM dan SRAM, RAM feroelektrik menyimpan lebih sedikit data di ruang yang sama.
Juga, karena proses membaca RAM feroelektrik yang merusak, diperlukan arsitektur yang ditulis-tertulis.
RAM feroelektrik digunakan dalam banyak aplikasi seperti instrumentasi, peralatan medis dan mikrokontroler industri.
Istilah Sinomim:
RAM feroelektrik, feram, f-ram
Seperti yang sudah kita lihat di atas, istilah ini merupakan salah satu dari kumpulan kamus, akronim, istilah, jargon, atau terminologi dalam bidang teknologi yang diawali dengan abjad atau awalan F, serta merupakan terms yang terkait dengan Hardware.
Arti Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) dalam Kamus Terjemahan Bahasa Indonesia dan Inggris
Selain membahas tentang pengertian dan pembahasan definisinya, untuk lebih memperdalamnya, di sini kita juga perlu mengetahui apa arti kata ferroelectric random access memory (fram) dalam kamus terjemahan bahasa Indonesia dan Inggris.
Untuk lebih mudah dalam memahaminya, di artikel ini Kami akan menguraikannya berupa tabel terjemahan bahasa Indonesia dan Inggris sebagai berikut.
| Tipe | Bahasa Indonesia | Bahasa Inggris |
| Terminologi | memori akses acak feroelektrik (fram) | ferroelectric random access memory (fram) |
| Kategori | perangkat keras | hardware |
Penutup
Baiklah, di atas adalah pembahasan dan penjelasan tentang apa itu arti dari ferroelectric random access memory (fram).
Semoga postingan artikel yang sudah Kami bagikan ini dapat bermanfaat serta dapat menambah wawasan kita semua.
Lihat juga pembahasan mengenai apa itu pengertian, maksud, dan akronim, istilah, jargon, atau terminologi artikel lainnya yang berhubungan dengan bidang Teknologi yang ada di laman blog UrlWebsite Kami.
Sumber (Referensi)
Artikel ini dibuat berdasar dari simpulan arti definisi dari berbagai referensi relevan yang berotoritas seperti Wikipedia, Webopedia Technology Dictionary dan beberapa sumber lainnya seperti Technopedia dan Techterms. Kata Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) ini merupakan salah satu dari kumpulan terminologi “Hardware” dalam bidang teknologi yang dimulai dengan abjad atau awalan F. Artikel ini di-update pada bulan Dec tahun 2024.
- https://id.wikipedia.org/wiki/terminologi
- https://id.wikipedia.org/wiki/teknologi
- https://id.wikipedia.org/wiki/teknis
- https://www.webopedia.com/?s=ferroelectric-random-access-memory-fram
- Gambar contoh dari ferroelectric-random-access-memory-fram via Google di sini
- Gambar contoh dari ferroelectric-random-access-memory-fram via Bing di sini
